Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C16M16D1-5BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C16M16D1-5BIN

KEY Part #: K940323

AS4C16M16D1-5BIN Qiymətləndirmə (USD) [29325ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.57037
  • 240 pcs$1.56256
Hissə nömrəsi:
AS4C16M16D1-5BIN
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: PMIC - isti dəyişdirmə nəzarətçiləri, Xətti - Video Emal, PMIC - Enerji İdarəetmə - İxtisaslaşmış, İnterfeys - Birbaşa Rəqəmsal Sintez (DDS), Yaddaş - FPGA'lar üçün konfiqurasiya promsları, PMIC - Termal İdarəetmə, PMIC - Gərginlik arayışı and İnterfeys - KODLAR ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BIN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C16M16D1-5BIN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C16M16D1-5BIN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M16D1-5BIN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C16M16D1-5BIN
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR
Yaddaş ölçüsü : 256Mb (16M x 16)
Saat tezliyi : 200MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 700ps
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 2.3V ~ 2.7V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 60-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 60-TFBGA (8x13)

Son xəbərlər

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Maraqlı ola bilərsiniz
  • W25M02GVZEIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON.

  • W25M02GVZEIT TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON. Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V

  • FM25CL64B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • BR24G1M-3A

    Rohm Semiconductor

    IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8-DIP-T.

  • AT28HC64B-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 6116LA25SOG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

İsti hissələr