Hissə nömrəsi :
FF900R12IE4VPBOSA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
MODULE IGBT PRIME2-1
IGBT növü :
Trench Field Stop
Konfiqurasiya :
Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
900A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 900A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
5mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
54nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
Module