Hissə nömrəsi :
TK6P60W,RVQ
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
6.2A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 310µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
390pF @ 300V
FET Feature :
Super Junction
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
60W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
DPAK
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63