Toshiba Semiconductor and Storage - TK6P60W,RVQ

KEY Part #: K6419456

TK6P60W,RVQ Qiymətləndirmə (USD) [113220ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.34825
  • 2,000 pcs$0.34652

Hissə nömrəsi:
TK6P60W,RVQ
İstehsalçı:
Toshiba Semiconductor and Storage
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Diodlar - Zener - Subay and Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor ...
Rəqabətli üstünlük:
Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W,RVQ elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. TK6P60W,RVQ sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. TK6P60W,RVQ üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6P60W,RVQ Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : TK6P60W,RVQ
İstehsalçı : Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir : MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Seriya : DTMOSIV
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6.2A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 310µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 390pF @ 300V
FET Feature : Super Junction
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 60W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : DPAK
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Maraqlı ola bilərsiniz