Hissə nömrəsi :
RN1110MFV,L3F
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Rezistor - Baza (R1) :
4.7 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
-
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
100nA (ICBO)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
VESM