Hissə nömrəsi :
SG2013J-883B
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Transistor tipi :
7 NPN Darlington
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
600mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
1.9V @ 600µA, 500mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
-
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
900 @ 500mA, 2V
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
16-CDIP