Infineon Technologies - IRFR3412TRRPBF

KEY Part #: K6408225

[701ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    IRFR3412TRRPBF
    İstehsalçı:
    Infineon Technologies
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - IGBTs - Subay, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Tiristorlar - TRIACs, Diodlar - RF and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Infineon Technologies IRFR3412TRRPBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRFR3412TRRPBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRFR3412TRRPBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR3412TRRPBF Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : IRFR3412TRRPBF
    İstehsalçı : Infineon Technologies
    Təsvir : MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
    Seriya : HEXFET®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 48A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 29A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 89nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 3430pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 140W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : D-Pak
    Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Maraqlı ola bilərsiniz