Hissə nömrəsi :
APTGL475U120DAG
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
IGBT növü :
Trench Field Stop
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
610A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 400A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
4mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
24.6nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
SP6