Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. W949D6DBHX5E

Winbond Electronics - W949D6DBHX5E

KEY Part #: K941132

W949D6DBHX5E Qiymətləndirmə (USD) [34433ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.53180
  • 312 pcs$1.52417
Hissə nömrəsi:
W949D6DBHX5E
İstehsalçı:
Winbond Electronics
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: PMIC - Enerji ölçmə, Daxili - FPGA'lar (Field Programlanabilir Gate Arr, Məntiq - Sayğaclar, bölücülər, İnterfeys - Modullar, Məlumatların əldə edilməsi - Sensorlu ekran nəzarə, Məlumatların əldə edilməsi - Rəqəmsal Potensiometr, İnterfeys - Birbaşa Rəqəmsal Sintez (DDS) and Xətti - analoq çarpanlar, bölücülər ...
Rəqabətli üstünlük:
Winbond Electronics W949D6DBHX5E elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. W949D6DBHX5E sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. W949D6DBHX5E üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D6DBHX5E Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : W949D6DBHX5E
İstehsalçı : Winbond Electronics
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - Mobile LPDDR
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (32M x 16)
Saat tezliyi : 200MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 5ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.95V
Əməliyyat temperaturu : -25°C ~ 85°C (TC)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 60-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 60-VFBGA (8x9)

Son xəbərlər

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Maraqlı ola bilərsiniz
  • NDS73PT9-16ET

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • 25LC1024T-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

İsti hissələr