Taiwan Semiconductor Corporation - TSM80N950CH C5G

KEY Part #: K6406911

TSM80N950CH C5G Qiymətləndirmə (USD) [56337ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.69405

Hissə nömrəsi:
TSM80N950CH C5G
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Körpü Düzəldicilər and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950CH C5G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. TSM80N950CH C5G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. TSM80N950CH C5G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM80N950CH C5G Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : TSM80N950CH C5G
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 691pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 110W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-251 (IPAK)
Paket / Case : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA