Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM10-50HE3/97

KEY Part #: K6457769

BYM10-50HE3/97 Qiymətləndirmə (USD) [675586ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.05475
  • 10,000 pcs$0.04962

Hissə nömrəsi:
BYM10-50HE3/97
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB. Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-50HE3/97 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BYM10-50HE3/97 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BYM10-50HE3/97 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM10-50HE3/97 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BYM10-50HE3/97
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Seriya : SUPERECTIFIER®
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 50V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.1V @ 1A
Sürət : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 10µA @ 50V
Kapasitans @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-213AB, MELF (Glass)
Təchizatçı cihaz paketi : DO-213AB
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -65°C ~ 175°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • RGL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34BHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM