STMicroelectronics - STP10NM60N

KEY Part #: K6403123

STP10NM60N Qiymətləndirmə (USD) [29687ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.38820
  • 10 pcs$1.25423
  • 100 pcs$0.95615
  • 500 pcs$0.74367
  • 1,000 pcs$0.61619

Hissə nömrəsi:
STP10NM60N
İstehsalçı:
STMicroelectronics
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - TRIACs and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
STMicroelectronics STP10NM60N elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. STP10NM60N sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. STP10NM60N üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP10NM60N Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : STP10NM60N
İstehsalçı : STMicroelectronics
Təsvir : MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Seriya : MDmesh™ II
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±25V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 540pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 70W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220AB
Paket / Case : TO-220-3