ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320D-3DBLA1

KEY Part #: K936901

IS46DR16320D-3DBLA1 Qiymətləndirmə (USD) [15360ədəd Stok]

  • 1 pcs$3.56938
  • 209 pcs$3.55162

Hissə nömrəsi:
IS46DR16320D-3DBLA1
İstehsalçı:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Məntiq - Qapılar və İnverterlər, Yaddaş - FPGA'lar üçün konfiqurasiya promsları, Məntiq - Siqnal açarları, Multipleksorlar, Dekoder, PMIC - İşıqlandırma, Balast nəzarətçiləri, PMIC - Ekran Sürücüləri, İnterfeys - Serializatorlar, Deserializatorlar, İnterfeys - Sensor və detektor interfeysi and Daxili - DSP (Rəqəmsal Siqnal İşlemleri) ...
Rəqabətli üstünlük:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IS46DR16320D-3DBLA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IS46DR16320D-3DBLA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16320D-3DBLA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IS46DR16320D-3DBLA1
İstehsalçı : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR2
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (32M x 16)
Saat tezliyi : 333MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 450ps
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.9V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 84-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 84-TWBGA (8x12.5)

Son xəbərlər

Maraqlı ola bilərsiniz
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

  • EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA