Hissə nömrəsi :
1N4150UR-1
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
50V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
200mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1V @ 200mA
Sürət :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
4ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100nA @ 50V
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-213AA (Glass)
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-213AA
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C