Vishay Siliconix - SI4413DDY-T1-GE3

KEY Part #: K6396229

SI4413DDY-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [90774ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.43075

Hissə nömrəsi:
SI4413DDY-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CHANNEL 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Güc Sürücü Modulları and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI4413DDY-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI4413DDY-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI4413DDY-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4413DDY-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI4413DDY-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : -
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : -
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (Maks) : -
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4780pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : -
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 125°C
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 8-SOIC
Paket / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)