Global Power Technologies Group - GSID150A120S6A4

KEY Part #: K6532550

GSID150A120S6A4 Qiymətləndirmə (USD) [860ədəd Stok]

  • 1 pcs$54.22093
  • 4 pcs$53.95117

Hissə nömrəsi:
GSID150A120S6A4
İstehsalçı:
Global Power Technologies Group
Ətraflı Təsviri:
SILICON IGBT MODULES.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Transistorlar - IGBTs - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
Global Power Technologies Group GSID150A120S6A4 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. GSID150A120S6A4 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. GSID150A120S6A4 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID150A120S6A4 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : GSID150A120S6A4
İstehsalçı : Global Power Technologies Group
Təsvir : SILICON IGBT MODULES
Seriya : Amp+™
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : -
Konfiqurasiya : Single
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 275A
Gücü - Maks : 1035W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 150A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 1mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 20.2nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.