Infineon Technologies - IPD220N06L3GBTMA1

KEY Part #: K6420983

IPD220N06L3GBTMA1 Qiymətləndirmə (USD) [310556ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.11910
  • 2,500 pcs$0.09778

Hissə nömrəsi:
IPD220N06L3GBTMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPD220N06L3GBTMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPD220N06L3GBTMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPD220N06L3GBTMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD220N06L3GBTMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPD220N06L3GBTMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 11µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1600pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 36W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO252-3
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63