Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C16M32MSA-6BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C16M32MSA-6BIN

KEY Part #: K937513

AS4C16M32MSA-6BIN Qiymətləndirmə (USD) [17157ədəd Stok]

  • 1 pcs$2.67064
Hissə nömrəsi:
AS4C16M32MSA-6BIN
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA. DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Məntiq - latçalar, Məntiq - Paritet Yaradanlar və Dama, Məlumatların əldə edilməsi - Sensorlu ekran nəzarə, Quraşdırılmış - FPGA (Field Programlanabilir Gate , İnterfeys - siqnal tamponları, təkrarlayıcılar, bö, İnterfeys - Siqnal Terminatorları, İnterfeys - Səs yazısı və çalma and Məntiq - Sayğaclar, bölücülər ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MSA-6BIN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C16M32MSA-6BIN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C16M32MSA-6BIN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M32MSA-6BIN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C16M32MSA-6BIN
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - Mobile SDRAM
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (16M x 32)
Saat tezliyi : 166MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 5.4ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.95V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 90-VFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 90-FBGA (8x13)

Son xəbərlər

Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Maraqlı ola bilərsiniz
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor

İsti hissələr