Infineon Technologies - BSC010NE2LSIATMA1

KEY Part #: K6417604

BSC010NE2LSIATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [116263ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.31813

Hissə nömrəsi:
BSC010NE2LSIATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - RF, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - SCRlər and Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSC010NE2LSIATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSC010NE2LSIATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC010NE2LSIATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSC010NE2LSIATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 25V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 38A (Ta), 100A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4200pF @ 12V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TDSON-8
Paket / Case : 8-PowerTDFN

Maraqlı ola bilərsiniz