Hissə nömrəsi :
ISL9R18120S3ST
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
1200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
18A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
3.3V @ 18A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
300ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100µA @ 1200V
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-263AB
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 175°C