Diodes Incorporated - DMTH6009LK3Q-13

KEY Part #: K6393799

DMTH6009LK3Q-13 Qiymətləndirmə (USD) [148064ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.24981
  • 2,500 pcs$0.22109

Hissə nömrəsi:
DMTH6009LK3Q-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMTH6009LK3Q-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMTH6009LK3Q-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMTH6009LK3Q-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6009LK3Q-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMTH6009LK3Q-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1925pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-252
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63