BAS116E6327HTSA1 Qiymətləndirmə (USD) [2455275ədəd Stok]
- 1 pcs$0.01506
- 3,000 pcs$0.01472
- 6,000 pcs$0.01328
- 15,000 pcs$0.01154
- 30,000 pcs$0.01039
- 75,000 pcs$0.00923
- 150,000 pcs$0.00770
- Hissə nömrəsi:
- BAS116E6327HTSA1
- İstehsalçı:
- Infineon Technologies
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - RF, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Infineon Technologies BAS116E6327HTSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BAS116E6327HTSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BAS116E6327HTSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
BAS116E6327HTSA1 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
BAS116E6327HTSA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Last Time Buy
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
80V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
250mA (DC)
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.25V @ 150mA
Sürət :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
1.5µs
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5nA @ 75V
Kapasitans @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi :
SOT-23-3
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
150°C (Max)
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
İsti hissələr
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54
选择你的位置