Vishay Siliconix - SISS12DN-T1-GE3

KEY Part #: K6420191

SISS12DN-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [168962ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.21891

Hissə nömrəsi:
SISS12DN-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SISS12DN-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SISS12DN-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SISS12DN-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS12DN-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SISS12DN-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-
Seriya : TrenchFET® Gen IV
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 40V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.98 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs (Maks) : +20V, -16V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4270pF @ 20V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® 1212-8S
Paket / Case : PowerPAK® 1212-8S

Maraqlı ola bilərsiniz