Vishay Siliconix - SIR104DP-T1-RE3

KEY Part #: K6396199

SIR104DP-T1-RE3 Qiymətləndirmə (USD) [73450ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.53234

Hissə nömrəsi:
SIR104DP-T1-RE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Diodlar - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIR104DP-T1-RE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIR104DP-T1-RE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIR104DP-T1-RE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR104DP-T1-RE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIR104DP-T1-RE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Seriya : TrenchFET® Gen IV
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4230pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8
Paket / Case : PowerPAK® SO-8