Hissə nömrəsi :
SIR104DP-T1-RE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Seriya :
TrenchFET® Gen IV
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
18.3A (Ta), 79A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
84nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
4230pF @ 50V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
5.4W (Ta), 100W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PowerPAK® SO-8
Paket / Case :
PowerPAK® SO-8