IDP30E120XKSA1 Qiymətləndirmə (USD) [32584ədəd Stok]
- 1 pcs$0.87801
- 10 pcs$0.78854
- 100 pcs$0.63380
- 500 pcs$0.52073
- 1,000 pcs$0.43146
- Hissə nömrəsi:
- IDP30E120XKSA1
- İstehsalçı:
- Infineon Technologies
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2.
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - RF and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Infineon Technologies IDP30E120XKSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IDP30E120XKSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IDP30E120XKSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
IDP30E120XKSA1 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
IDP30E120XKSA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
1200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
50A (DC)
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
2.15V @ 30A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
243ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100µA @ 1200V
Kapasitans @ Vr, F :
-
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
TO-220-2
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-TO220-2-2
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 150°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
VS-HFA04SD60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED
-
VS-E4PH6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
VS-EPH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
VS-E4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
SFA808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier
-
STTH3010PI
STMicroelectronics
DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode
İsti hissələr
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18
选择你的位置