Hissə nömrəsi :
BSM180D12P2C101
İstehsalçı :
Rohm Semiconductor
Təsvir :
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
FET növü :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature :
Silicon Carbide (SiC)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35.2mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
23000pF @ 10V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Təchizatçı cihaz paketi :
Module