Infineon Technologies - IPB019N06L3GATMA1

KEY Part #: K6402098

IPB019N06L3GATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [39781ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.98287

Hissə nömrəsi:
IPB019N06L3GATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - TRIACs, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPB019N06L3GATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPB019N06L3GATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPB019N06L3GATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB019N06L3GATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPB019N06L3GATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 196µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 166nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 28000pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 250W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D²PAK (TO-263AB)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB