Hissə nömrəsi :
IRFPG30PBF
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
3.1A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
980pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-247-3