Hissə nömrəsi :
FDMS86102LZ
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
7A (Ta), 22A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1305pF @ 50V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
8-PQFN (5x6)
Paket / Case :
8-PowerTDFN