Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. W987D6HBGX6E TR

Winbond Electronics - W987D6HBGX6E TR

KEY Part #: K942565

W987D6HBGX6E TR Qiymətləndirmə (USD) [49022ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.99613
  • 2,500 pcs$0.99118
Hissə nömrəsi:
W987D6HBGX6E TR
İstehsalçı:
Winbond Electronics
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz T&R
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: PMIC - Batareya idarəetməsi, Saat / Müddət - Ərizə Xüsusi, Xətti - Gücləndiricilər - Video Amp və Modullar, Saat / Zamanlama - Real vaxt saatları, İnterfeys - KODLAR, Saat / Zamanlama - Saat generatorları, PLLlər, Tez, İnterfeys - Xüsusi and Yaddaş - Batareyalar ...
Rəqabətli üstünlük:
Winbond Electronics W987D6HBGX6E TR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. W987D6HBGX6E TR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. W987D6HBGX6E TR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D6HBGX6E TR Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : W987D6HBGX6E TR
İstehsalçı : Winbond Electronics
Təsvir : IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - Mobile LPSDR
Yaddaş ölçüsü : 128Mb (8M x 16)
Saat tezliyi : 166MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 5.4ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.95V
Əməliyyat temperaturu : -25°C ~ 85°C (TC)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 54-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 54-VFBGA (8x9)

Son xəbərlər

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Maraqlı ola bilərsiniz
  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP032A-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R

  • 25LC512-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT

  • 602-10001

    Parallax Inc.

    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ.

  • W25Q128FWSIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash spiFlash, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

İsti hissələr