Diodes Incorporated - DMT6009LFG-13

KEY Part #: K6394873

DMT6009LFG-13 Qiymətləndirmə (USD) [179158ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.20645
  • 3,000 pcs$0.18272

Hissə nömrəsi:
DMT6009LFG-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMT6009LFG-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMT6009LFG-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMT6009LFG-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6009LFG-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMT6009LFG-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 11A (Ta), 34A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±16V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1925pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerDI3333-8
Paket / Case : 8-PowerWDFN