Hissə nömrəsi :
SCT3160KLGC11
İstehsalçı :
Rohm Semiconductor
Təsvir :
MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
Texnologiya :
SiCFET (Silicon Carbide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
1200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
17A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
208 mOhm @ 5A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 2.5mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 18V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
398pF @ 800V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
103W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
175°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-247N