Infineon Technologies - FP25R12W2T4PBPSA1

KEY Part #: K6532612

FP25R12W2T4PBPSA1 Qiymətləndirmə (USD) [1729ədəd Stok]

  • 1 pcs$25.04600

Hissə nömrəsi:
FP25R12W2T4PBPSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOD IGBT LOW PWR EASY2B-1.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - IGBTs - Subay, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor and Transistorlar - IGBTs - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies FP25R12W2T4PBPSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FP25R12W2T4PBPSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FP25R12W2T4PBPSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP25R12W2T4PBPSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FP25R12W2T4PBPSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOD IGBT LOW PWR EASY2B-1
Seriya : EasyPIM™ 2B
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : Trench Field Stop
Konfiqurasiya : Three Phase Inverter
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 50A
Gücü - Maks : 20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 25A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 1mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 1.45nF @ 25V
Giriş : Three Phase Bridge Rectifier
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.