Infineon Technologies - IPB073N15N5ATMA1

KEY Part #: K6417658

IPB073N15N5ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [37874ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.05496
  • 1,000 pcs$1.04971

Hissə nömrəsi:
IPB073N15N5ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MV POWER MOS.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək and Diodlar - Zener - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPB073N15N5ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPB073N15N5ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPB073N15N5ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB073N15N5ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPB073N15N5ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MV POWER MOS
Seriya : OptiMOS™-5
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 150V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 114A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.3 mOhm @ 57A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.6V @ 160µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4700pF @ 75V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 214W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO263-3-2
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Maraqlı ola bilərsiniz