Diodes Incorporated - DMG4N60SK3-13

KEY Part #: K6402269

DMG4N60SK3-13 Qiymətləndirmə (USD) [2763ədəd Stok]

  • 2,500 pcs$0.14509

Hissə nömrəsi:
DMG4N60SK3-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMG4N60SK3-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMG4N60SK3-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMG4N60SK3-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4N60SK3-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMG4N60SK3-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Obsolete
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 3.7A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 14.3nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 532pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 48W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-252
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63