Vishay Siliconix - SIHG33N60E-E3

KEY Part #: K6416968

SIHG33N60E-E3 Qiymətləndirmə (USD) [21609ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.90718

Hissə nömrəsi:
SIHG33N60E-E3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - SCR - Modullar and Diodlar - Zener - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIHG33N60E-E3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIHG33N60E-E3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIHG33N60E-E3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG33N60E-E3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIHG33N60E-E3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Seriya : E
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 33A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 3508pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 278W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-247AC
Paket / Case : TO-247-3