Hissə nömrəsi :
VS-GB50TP120N
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
Konfiqurasiya :
Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 50A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
5mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
4.29nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Paket / Case :
INT-A-PAK (3 + 4)
Təchizatçı cihaz paketi :
INT-A-PAK