Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB50TP120N

KEY Part #: K6533281

VS-GB50TP120N Qiymətləndirmə (USD) [1278ədəd Stok]

  • 1 pcs$33.87746
  • 24 pcs$32.26421

Hissə nömrəsi:
VS-GB50TP120N
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Zener - Diziler and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB50TP120N elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. VS-GB50TP120N sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. VS-GB50TP120N üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB50TP120N Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : VS-GB50TP120N
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : -
Konfiqurasiya : Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 100A
Gücü - Maks : 446W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 50A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 5mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 4.29nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : No
Əməliyyat temperaturu : 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : INT-A-PAK (3 + 4)
Təchizatçı cihaz paketi : INT-A-PAK

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.

  • APTCV60HM45RCT3G

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.