Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. W632GG8MB12I TR

Winbond Electronics - W632GG8MB12I TR

KEY Part #: K940075

W632GG8MB12I TR Qiymətləndirmə (USD) [28091ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.63120
Hissə nömrəsi:
W632GG8MB12I TR
İstehsalçı:
Winbond Electronics
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Xətti - müqayisələr, Məntiq - Müqayisələr, PMIC - Tam, Yarım Körpü Sürücüləri, İnterfeys - UART (Universal Asinxron qəbuledici öt, İnterfeys - Xüsusi, Saat / Zamanlama - Saat generatorları, PLLlər, Tez, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - DC DC keçid tə and Xətti - analoq çarpanlar, bölücülər ...
Rəqabətli üstünlük:
Winbond Electronics W632GG8MB12I TR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. W632GG8MB12I TR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. W632GG8MB12I TR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W632GG8MB12I TR Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : W632GG8MB12I TR
İstehsalçı : Winbond Electronics
Təsvir : IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR3
Yaddaş ölçüsü : 2Gb (128M x 16)
Saat tezliyi : 800MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : -
Giriş vaxtı : 20ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.425V ~ 1.575V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 95°C (TC)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 78-VFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 78-VFBGA (10.5x8)

Son xəbərlər

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Maraqlı ola bilərsiniz
  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • 6116LA25SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116LA20SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • MD56V62160M-7TAZ0AX

    Rohm Semiconductor

    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP.

  • W94AD2KBJX5I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R

İsti hissələr