Infineon Technologies - IGT60R190D1SATMA1

KEY Part #: K6395675

IGT60R190D1SATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [10659ədəd Stok]

  • 1 pcs$3.86600

Hissə nömrəsi:
IGT60R190D1SATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
IC GAN FET 600V 23A 8HSOF.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Zener - Diziler, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IGT60R190D1SATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IGT60R190D1SATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IGT60R190D1SATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IGT60R190D1SATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IGT60R190D1SATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : IC GAN FET 600V 23A 8HSOF
Seriya : CoolGaN™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : GaNFET (Gallium Nitride)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 12.5A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 960µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Maks) : -10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 157pF @ 400V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 55.5W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-HSOF-8-3
Paket / Case : 8-PowerSFN