Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS6C2008-55BIN

Alliance Memory, Inc. - AS6C2008-55BIN

KEY Part #: K942315

AS6C2008-55BIN Qiymətləndirmə (USD) [45618ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.95775
  • 480 pcs$0.95299
Hissə nömrəsi:
AS6C2008-55BIN
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA. SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Xətti - gücləndiricilər - alət, OP amper, bufer am, Quraşdırılmış - Mikro nəzarətçilər, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xətti + Kommut, PMIC - Enerji İdarəetmə - İxtisaslaşmış, PMIC - isti dəyişdirmə nəzarətçiləri, Daxili - DSP (Rəqəmsal Siqnal İşlemleri), Məntiq - latçalar and Saat / Zamanlama - Proqramlaşdırılan Taymerlər və ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55BIN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS6C2008-55BIN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS6C2008-55BIN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS6C2008-55BIN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS6C2008-55BIN
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : SRAM
Texnologiya : SRAM - Asynchronous
Yaddaş ölçüsü : 2Mb (256K x 8)
Saat tezliyi : -
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 55ns
Giriş vaxtı : 55ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 2.7V ~ 3.6V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 36-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 36-TFBGA (6x8)

Son xəbərlər

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Maraqlı ola bilərsiniz
  • IS25LQ032B-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON.

  • W25Q256JVEIM TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • W25Q256JVEIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25L16B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 16K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 16K Serial SPI 3V FRAM

  • CAT25M01YI-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1MB SPI SER CMOS EEPROM

İsti hissələr