ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61LV12816L-10TI-TR

KEY Part #: K939357

Ətraflı Təsviri:: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 2Mb 128Kx16 10ns Async SRAM 3.3v

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Quraşdırılmış - Mikro nəzarətçilər, PMIC - Batareya idarəetməsi, Məntiq - Flip Flops, İnterfeys - analoq açarları, multiplexers, demulti, PMIC - DC çeviricilərinə RMS, Məntiq - Shift Qeydləri, PMIC - OR nəzarətçiləri, ideal diodlar and İnterfeys - Modullar ...

Rəqabətli üstünlük:: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10TI-TR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IS61LV12816L-10TI-TR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IS61LV12816L-10TI-TR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

Hissə nömrəsi : IS61LV12816L-10TI-TR

İstehsalçı : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Təsvir : IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs

Yaddaş növü : Volatile

Yaddaş formatı : SRAM

Texnologiya : SRAM - Asynchronous

Yaddaş ölçüsü : 2Mb (128K x 16)

Saat tezliyi : -

Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 10ns

Giriş vaxtı : 10ns

Yaddaş interfeysi : Parallel

Gərginlik - Təchizat : 3.135V ~ 3.6V

Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)

Montaj növü : Surface Mount

Paket / Case : 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Təchizatçı cihaz paketi : 44-TSOP II

Maraqlı ola bilərsiniz

U62256ADK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.