Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C64M8D1-5TCN

Alliance Memory, Inc. - AS4C64M8D1-5TCN

KEY Part #: K941363

AS4C64M8D1-5TCN Qiymətləndirmə (USD) [36227ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.27126
  • 108 pcs$1.26493
Hissə nömrəsi:
AS4C64M8D1-5TCN
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Saat / Zamanlama - Gecikmə xətləri, PMIC - Enerji ölçmə, Məntiq - Universal Avtobus funksiyaları, Səs Xüsusi Məqsəd, Məlumatların alınması - analoq cəbhə sonu (AFE), PMIC - Termal İdarəetmə, Məntiq - Shift Qeydləri and Məntiq - Qapılar və İnverterlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TCN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C64M8D1-5TCN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C64M8D1-5TCN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M8D1-5TCN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C64M8D1-5TCN
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (64M x 8)
Saat tezliyi : 200MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 700ps
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 2.3V ~ 2.7V
Əməliyyat temperaturu : 0°C ~ 70°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Təchizatçı cihaz paketi : 66-TSOP II

Son xəbərlər

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Maraqlı ola bilərsiniz
  • IS25WP128-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON.

  • SST26VF032-80-5I-QAE

    Microchip Technology

    IC FLASH 32M SPI 80MHZ 8WSON.

  • 24FC515-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SOIJ. EEPROM 64kx8 64B 1.8V HISpd

  • 24LC515-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 64kx8 64B - 2.5V

  • 25LC1024T-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • SST26VF032-80-5I-S2AE

    Microchip Technology

    IC FLASH 32M SPI 80MHZ 8SOIC. NOR Flash 2.7 to 3.6V 32Mbit Serial Quad I/O Flsh

İsti hissələr