NXP USA Inc. - PHT6N06LT,135

KEY Part #: K6405808

[1537ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    PHT6N06LT,135
    İstehsalçı:
    NXP USA Inc.
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - RF and Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler ...
    Rəqabətli üstünlük:
    NXP USA Inc. PHT6N06LT,135 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. PHT6N06LT,135 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. PHT6N06LT,135 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHT6N06LT,135 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : PHT6N06LT,135
    İstehsalçı : NXP USA Inc.
    Təsvir : MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
    Seriya : TrenchMOS™
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 55V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.5A (Ta)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 5A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 5V
    Vgs (Maks) : ±13V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 330pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : SOT-223
    Paket / Case : TO-261-4, TO-261AA