İstehsalçı :
GeneSiC Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
6A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.4V @ 6A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
200ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
15µA @ 50V
Montaj növü :
Chassis, Stud Mount
Paket / Case :
DO-203AA, DO-4, Stud
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-4
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 150°C