Hissə nömrəsi :
TPH6400ENH,L1Q
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
13A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
64 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 300µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
11.2nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1100pF @ 100V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Case :
8-PowerVDFN