Vishay Siliconix - SI4862DY-T1-GE3

KEY Part #: K6392825

SI4862DY-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [53269ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.73769
  • 2,500 pcs$0.73402

Hissə nömrəsi:
SI4862DY-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Diodlar - Zener - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI4862DY-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI4862DY-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI4862DY-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4862DY-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI4862DY-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 16V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 17A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±8V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1.6W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 8-SO
Paket / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)