Diodes Incorporated - DMTH10H015LK3-13

KEY Part #: K6403285

DMTH10H015LK3-13 Qiymətləndirmə (USD) [214990ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.17204
  • 2,500 pcs$0.15227

Hissə nömrəsi:
DMTH10H015LK3-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET NCH 100V 52.5A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - RF, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - JFETlər and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMTH10H015LK3-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMTH10H015LK3-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMTH10H015LK3-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH10H015LK3-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMTH10H015LK3-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
Seriya : Automotive, AEC-Q101
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 52.5A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 33.3nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1871pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.1W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-252-4L
Paket / Case : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD