Vishay Siliconix - SI1431DH-T1-GE3

KEY Part #: K6392824

SI1431DH-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [390893ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.09510
  • 3,000 pcs$0.09462

Hissə nömrəsi:
SI1431DH-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI1431DH-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI1431DH-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI1431DH-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1431DH-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI1431DH-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.7A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 100µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 950mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SC-70-6 (SOT-363)
Paket / Case : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Maraqlı ola bilərsiniz