Hissə nömrəsi :
DMG4812SSS-13
İstehsalçı :
Diodes Incorporated
Təsvir :
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1849pF @ 15V
FET Feature :
Schottky Diode (Body)
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
1.54W (Ta)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
8-SO
Paket / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)