ON Semiconductor - FDB86360-F085

KEY Part #: K6396444

FDB86360-F085 Qiymətləndirmə (USD) [35166ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.17195

Hissə nömrəsi:
FDB86360-F085
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 80V 110A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - RF, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - IGBTs - Subay and Tiristorlar - TRIACs ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FDB86360-F085 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FDB86360-F085 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FDB86360-F085 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB86360-F085 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FDB86360-F085
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Seriya : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 80V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 110A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 253nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 14600pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 333W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D²PAK (TO-263AB)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Maraqlı ola bilərsiniz