Hissə nömrəsi :
IPB65R125C7ATMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
MOSFET N-CH TO263-3
Hissə Vəziyyəti :
Discontinued at Digi-Key
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
18A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 440µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1670pF @ 400V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
101W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB